Романенко В. Н.

В монографии с единых позиций рассмотрены распределения состава в эпитаксиальных и рекристаллизованных слоях, а также распределения состава при введении примеси в подложку при диффузионном легировании и ионной имплантации. Все описание ведется на основе теории диффузионных и кристаллизационных процессов. Математический аппарат, терминология и обозначения соответствуют тем, которые применяются при описании процессов перераспределения состава в объемных кристаллах.
Книга рассчитана на научно-технических работников предприятий полупроводниковой промышленности. Может быть полезна преподавателям вузов, аспирантам и студентам старших курсов, специализирующимся в области твердотельного приборостроения. Представляет интерес и для работников, связанных с изготовлением слоев неполупроводниковых материалов, в частности прозрачных слоев веществ, применяемых в оптике.

М.: «Металлургия», 1978. - 192 с., 49 илл., 1 табл.