Романенко В. Н.

В книге описаны методы управления составом в объемных монокристаллах полупроводников. Рассмотрены единые физико-химические основы методов управления составом. Описаны не только классические приемы полупроводниковой технологии (очистка, выравнивание), но и методики, вошедшие в практику в 70-е годы прошлого века. Подробно рассмотрены различные примесные и структурные дефекты, имеющиеся в реальных кристаллах, и причины их возникновения. Большое внимание уделено описанию эффектов, имеющих важное значение для понимания процессов роста (взаимодействие примесей при росте, устойчивость фронтов роста и т. д.).Описано взаимодействие растущего кристалла с внешней средой: летучими примесями, контейнерами, флюсами и газовым наполнением. Приведены основы математического описания сегрегационных процессов. Изложены методы программированного управления составом кристаллов.
Монография рассчитана на широкий круг инженеров и ученых, специализирующихся в области получения полупроводниковых кристаллов и приборов.

М.: «Металлургия», 1976. - 368 с.