Романенко В. Н.

В книге рассмотрены причины, приводящие к неоднородности в распределении состава кристаллов, выращиваемых из расплава. Дано описание различных способов борьбы за постоянство состава кристаллов — программирование параметров роста, различные варианты зонного выравнивания и непрерывной зонной плавки, методы механической и равновесной подпитки расплава недостающим компонентом. Для всех методов выравнивания расплава приведены формулы, позволяющие рассчитать необходимый режим выравнивания и оценить эффективность метода на основе величины теоретического выхода. Рассмотрены возможности применения различных методов гомогенизации для получения кристаллов концентрированных растворов постоянного состава и кристаллов с программированным изменением состава вдоль направления роста. Приведены методы борьбы с локальными неоднородностями состава кристаллов, возникающими в них как следствие несовершенства применяемых установок и методик. Все методы, рассматриваемые в книге, применимы для работы не только с полупроводниковыми материалами, но и с другими кристаллами.
Книга предназначена для научных работников и инженеров, работающих в различных областях полупроводниковой металлургии и физики полупроводников, и может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующимся в области полупроводниковых технологий.

М.: «Металлургия», 1966. - 186 с.