Применение процессов жидкостной эпитаксии для анализа диаграмм состояния на примере систем Ga-Al-As примесь.

В.С.Хейфец

печатн.Тезисы докладов: Вторая конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов, Москва, 23-25.Х.1972 г., Изд. ИМЕТ АН СССР, М.,1972 г, с. 164-164.