Равномерное легирование кристаллов программированным изменением условий вытягивания.

С.А.Василевский,Д.И.Левинзон,К.В.Останина, Ю.М .Смиpнов

печатн.Теоpетические основы химической технологии, т. 7,№6, c. 848-858,1973 г.